Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках

В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации, идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов. Теоретический анализ сочетается с примерами из различных областей физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Рис. — 87, табл. — 1, библ. назв. — 148.